英飞凌成功试制 300 毫米碳化硅功能性功率器件

英飞凌宣布在奥地利菲拉赫晶圆厂利用现有硅基制造设备，成功将 300 毫米碳化硅（SiC）晶圆加工为功能性功率器件，成为在全规模晶圆厂实现该工艺的半导体厂商。相较于 200 毫米晶圆，300 毫米晶圆单片芯片产出提升至 2.3 倍，重点面向汽车、可再生能源及 AI 数据中心的固态变压器和供电单元。