インフィニオン、300mm炭化ケイ素（SiC）機能性パワー半導体の試作に成功

インフィニオンは、オーストリアのフィラッハ工場において既存のシリコン製造設備を活用し、300mm炭化ケイ素（SiC）ウェハーを機能性パワー半導体へ加工することに成功したと発表した。フルスケールの半導体工場において同プロセスを実現した半導体メーカーとなる。200mmウェハーと比較して300mmウェハーは1枚あたりのチップ産出量が2.3倍に向上し、自動車や再生可能エネルギー、AIデータセンター向けのソリッドステートトランス（SST）および電源ユニット（PSU）を主なターゲットとしている。