美光预告 G11 NAND 闪存：超 400 层堆叠且密度翻倍，预计 2027H2 产能爬坡

美光在技术网络研讨会上预告预计 2027H2 产能爬坡的 G11 NAND 闪存，跳过了 G10 世代。该闪存采用晶圆对晶圆键合技术，堆叠超过 400 层，按面积计算的存储密度达到现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右，I/O 速率至高提升 1.5 倍且传输能耗降低 25% 以上。