热点事件持续更新
美光预告超400层G11 NAND闪存
1 篇报道1 个报道来源3 小时前更新
先了解这件事
AI 综述
2026年10月22日，美光在技术网络研讨会上预告了G11 NAND闪存，并确认将跳过G10世代，预计于2027年下半年进行产能爬坡。据介绍，G11闪存采用晶圆对晶圆键合技术，堆叠层数超过400层。在性能与规格方面，其按面积计算的存储密度达到现有276层G9 NAND的2倍左右，I/O速率至高提升1.5倍，同时传输能耗降低25%以上。
AI 根据报道生成 · 3 小时前更新
最新进展10月22日 10:05
美光预告跳过G10直接推出超400层G11 NAND，预计2027年下半年产能爬坡。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月22日
- IT之家 · AI 筛选美光预告 G11 NAND 闪存：超 400 层堆叠且密度翻倍，预计 2027H2 产能爬坡
美光在技术网络研讨会上预告预计 2027H2 产能爬坡的 G11 NAND 闪存，跳过了 G10 世代。该闪存采用晶圆对晶圆键合技术，堆叠超过 400 层，按面积计算的存储密度达到现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右，I/O 速率至高提升 1.5 倍且传输能耗降低 25% 以上。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（10月22日 11:00）·近 24 小时可比范围变化 –
趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。