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瑞萨推出首款低压氮化镓功率半导体系列
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AI 综述
2026年10月6日，瑞萨电子推出其首款100V增强型（E-mode）GaN（氮化镓）分立功率晶体管系列，主要面向AI数据中心、人形机器人等应用领域。该系列包含RTP100E005G1FL等型号，其硬开关与软开关品质因数（FOM）较同类GaN器件最高分别降低35%和63%。相比传统硅基设计，新器件效率提升了1%至3%，开关损耗降低40%至70%，并提供了与标准MOSFET兼容的封装形式。
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最新进展10月6日 16:42
瑞萨推出首款100V低压GaN功率器件系列，面向AI数据中心与机器人等场景。报道时间线
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10月6日
- IT之家 · AI 筛选瑞萨推出首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心与人形机器人等领域
瑞萨电子推出首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列，面向 AI 数据中心、人形机器人等应用领域。该系列包含 RTP100E005G1FL 等型号，硬开关与软开关 FOM 较同类 GaN 器件最高分别降低 35% 和 63%。相比硅基设计，其效率提升 1% 至 3%、开关损耗降低 40% 至 70%，且提供标准 MOSFET 兼容封装。
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