瑞萨推出首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心与人形机器人等领域

瑞萨电子推出首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列，面向 AI 数据中心、人形机器人等应用领域。该系列包含 RTP100E005G1FL 等型号，硬开关与软开关 FOM 较同类 GaN 器件最高分别降低 35% 和 63%。相比硅基设计，其效率提升 1% 至 3%、开关损耗降低 40% 至 70%，且提供标准 MOSFET 兼容封装。