三星将采用台积电3nm为英伟达生产下一代HBM基底裸片

三星电子决定接受英伟达的技术要求，将采用台积电3nm工艺生产下一代定制高带宽内存NVHBM的基底裸片。英伟达要求三星、SK海力士和美光统一采用台积电3nm制造基底裸片并搭配1c DRAM核心裸片，旨在解决不同制造方案导致的性能不一致与验证成本问题。此外，对于标准HBM以及AMD等其他客户的定制产品，三星仍保留一站式全包自产策略，并同步在自有产线验证NVHBM的备用方案。

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