三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

三星电子决定接受英伟达的技术要求，将采用台积电 3nm 工艺生产下一代定制高带宽内存 NVHBM 的基底裸片。英伟达要求三星、SK 海力士和美光统一采用台积电 3nm 制造基底裸片并搭配 1c DRAM 核心裸片，以解决制造方案差异导致的性能不一致与验证成本问题。对于标准 HBM 与 AMD 等客户的定制产品，三星仍保留一站式全包自产策略，并同步在自有产线验证 NVHBM 备用方案。