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三星电子开发针对AI优化的zNAND-T与zNAND-I闪存
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AI 综述
据2026年10月12日消息，三星电子正在开发针对AI负载优化的zNAND-T与zNAND-I闪存产品。其中，zNAND-T采用TSV技术堆叠NAND Die，面向数据中心需求重点优化读写吞吐量带宽；zNAND-I则侧重IOPS随机性能，主要适用于KV cache卸载等少量数据频繁读写的场景。这两款产品连同三星电子此前披露的zNAND-O，标志着NAND闪存正逐步从通用型产品转向针对特定场景的定制化开发。
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最新进展10月12日 13:54
消息称三星电子正在开发针对AI负载优化的zNAND-T与zNAND-I闪存。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家 · AI 筛选消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发针对 AI 负载优化的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存产品。其中 zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，针对数据中心需求优化读写吞吐量带宽；zNAND-I 则侧重 IOPS 随机性能，适用于 KV cache 卸载等少量数据频繁读写场景。连同此前的 zNAND-O，标志着 NAND 闪存正从通用型转向定制化。
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