消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子正在开发针对 AI 负载优化的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存产品。其中 zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，针对数据中心需求优化读写吞吐量带宽；zNAND-I 则侧重 IOPS 随机性能，适用于 KV cache 卸载等少量数据频繁读写场景。连同此前的 zNAND-O，标志着 NAND 闪存正从通用型转向定制化。