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美光预计2028年推出新型3DS内存vHBM与vEIM
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AI 综述
2026年10月，相关报道显示，美光预计将于2028年推出两款新型3DS内存产品vHBM与vEIM。其中，vHBM采用垂直堆叠DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片的设计，旨在缩短数据通信路径、提升带宽效率并降低能耗；面向端侧AI推理的vEIM，初代目标设定为实现2TB/s带宽以及小于1pj/bit的能效表现。此外，这两款产品均计划应用无凸块混合键合技术，并导入集成散热方案。
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最新进展10月22日 09:45
美光预计将于2028年推出应用无凸块混合键合的新型3DS内存vHBM与vEIM。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月22日
- IT之家 · AI 筛选美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM
美光预计将在 2028 年推出两款新型 3DS 内存产品 vHBM 与 vEIM。其中 vHBM 垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，以缩短数据通信路径、提升带宽效率并降低能耗；面向端侧 AI 推理的 vEIM 初代目标实现 2TB/s 带宽和＜1pj / bit 能效。两款产品计划应用无凸块混合键合技术并导入集成散热方案。
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