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SK海力士公布3D FeNAND模拟存内计算研究成果
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AI 综述
2026年10月15日，SK海力士公布了基于3D FeNAND实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于IEEE。该技术利用铁电材料的极化状态来存储数据并控制电流，能够在单个存储单元内产生多种电流状态，适合用于AI计算所需的权重数据。该方案通过利用模拟信号直接在存储器内部执行乘积累加运算（MAC），可有效减少数据搬运，进而提升整体数据处理速度并改善能效表现。
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最新进展10月15日 19:05
SK海力士在IEEE发表论文，公布基于3D FeNAND实现模拟存内计算的研究成果。报道时间线
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10月15日
- IT之家 · AI 筛选SK 海力士公布 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 模拟存内计算
SK 海力士公布了基于 3D FeNAND 实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于 IEEE。该技术利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需的权重数据。通过利用模拟信号直接在存储器中执行乘积累加运算（MAC），该方案能减少数据搬运并提升处理速度和能效。
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