SK 海力士公布 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 模拟存内计算

SK 海力士公布了基于 3D FeNAND 实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于 IEEE。该技术利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需的权重数据。通过利用模拟信号直接在存储器中执行乘积累加运算（MAC），该方案能减少数据搬运并提升处理速度和能效。