SK海力士公布下一代存储技术路线图，布局3D堆叠DRAM与高带宽闪存HBF

SK hynix 在 SEDEX 2026 上公布面向 AI 推理瓶颈的下一代存储技术路线图，重点研发 3D 堆叠 DRAM 与高带宽闪存（HBF）。HBF 介于 HBM 与 DRAM 之间，设计目标是以同代 HBM 约一半的带宽提供约 10 倍的存储容量，用于缓解长上下文推理中 KV cache 增长带来的内存墙与能耗问题。