泰坦未来科技推出 12 英寸多晶碳化硅衬底用于 AI 芯片散热

湖南泰坦未来科技宣布推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅（Poly-SiC）衬底，瞄准 AI 芯片先进封装散热基板与刻蚀核心部件等场景。该产品热导率达到 300W/(m·K) 以上，沉积速度达 60 微米/小时，最低电阻率小于 1 毫欧·厘米，孔洞缺陷少于 0.1 个/平方厘米。产品已通过台积电认证测试并向三星送样，正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计 2027 年后逐步规模化供货。