三星预计明年 HBM 将占 DRAM 行业总产能近 30%，或加剧通用内存供应紧张
据路透社报道，三星电子执行副总裁金泰宇表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占到全球主要 DRAM 芯片制造商晶圆总产能的近 30%，高于目前的约 20%。由于 HBM 采用多层芯片垂直堆叠工艺且需占用大量晶圆产能，其产出规模的快速扩张将直接与普通 DRAM 争夺产线资源，进而可能挤压标准 DRAM 的市场供应。目前该市场主要由 SK 海力士、三星电子和美光科技三家主导。
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原标题：三星高管预计明年 HBM 占 DRAM 行业总产能近 30%，高于目前的 20%
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