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下代Groq LPU芯片或转向3D堆叠DRAM方案
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AI 综述
2026年10月21日，据报道，下一代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望放弃大容量 SRAM 方案，转向基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。报道指出，当前一代 Groq LPU 采用大容量 SRAM 缓存设计以实现快速解码输出，但由于 SRAM 自身容量较小，且随制程升级带来的密度收益相对有限，导致其在应对大型模型以及芯片迭代时面临局限。
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最新进展10月21日 11:24
消息称下代 Groq LPU 芯片有望放弃大 SRAM，转向 3D 堆叠 DRAM 方案。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- IT之家 · AI 筛选NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片有望转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案
NVIDIA 下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望转向基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。当前一代 Groq LPU 采用大容量 SRAM 缓存设计以提供快速解码输出，但受限于容量较小及制程升级密度收益有限的问题，在大型模型表现与芯片迭代上面临局限。
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