美光公布DRAM路线：转向3D架构并规划引入High NA EUV

美光在技术网络研讨会上公布了最新的 DRAM 演进路线图。美光明确表示，4F² DRAM 已无可行规模化路径，未来将转向 3D DRAM 架构。在具体制程节点方面，当前其 1δ 节点正在进行良率爬坡，存储密度提升约 25%；后续的 1ε 节点将引入晶圆键合技术。此外，美光首代亚 10nm 级节点 ζÅ 目前正处于早期开发阶段，计划导入 High NA EUV 光刻技术，届时逻辑电路也将实现 3D 化。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。