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黄仁勋预计2029年内存不过剩，英伟达将续采HBM与LPDDR
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AI 综述
针对近期市场对 AI 降温及新增产能过剩的担忧，英伟达 CEO 黄仁勋于 2026 年 10 月表示，到 2029 年内存行业不太可能出现产能过剩。他指出，英伟达未来数年仍将持续大量采用 HBM 与 LPDDR 内存；英伟达率先将手机端 LPDDR 引入数据中心，以此实现高出一倍的能效。黄仁勋强调，现行算力架构对内存的需求依然十分可观。
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最新进展10月23日 08:08
黄仁勋表示至2029年内存不会过剩，英伟达未来数年将持续大量采用HBM与LPDDR。报道时间线
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10月23日
- IT之家 · AI 筛选黄仁勋预计 2029 年内存不会过剩，英伟达将持续大量采用 HBM 与 LPDDR
英伟达 CEO 黄仁勋表示到 2029 年内存行业不太可能出现产能过剩，英伟达未来数年仍将持续大量采用 HBM 与 LPDDR 内存。他指出英伟达率先将手机端 LPDDR 引入数据中心以实现高出一倍的能效，强调算力架构对内存的需求依然可观。此番表态主要针对近期市场对 AI 降温与新增产能过剩的担忧。
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