Opus 5.5 研究人员发现两种室温磁性半导体候选材料

研究团队借助 AI Agent 通过密度泛函理论模拟，设计并发现了两种用于下一代存储的 Luttinger 补偿磁性半导体候选材料。其中 AI 设计的新化合物 YBaMnFeO₅ 预测具备 2.35 eV 带隙，且拥有远高于室温热扰动的宽自旋窗口。该类材料兼具零净磁场与按能级分离自旋的特性，有望实现更高密度和更快切换速度的自旋电子存储。